格隆汇7月23日丨时代电气(688187.SH)在互动平台表示，公司拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。当前公司SiC第四代沟槽栅产品已完成设计定型，达行业先进水平，第五代SiC技术也已完成布局。目前SiC重点产品包括3300V高压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V沟槽栅 SiC MOSFET性能指标基本对标国际龙头企业。公司SiC MOSFET 覆盖650V-6500V 电压等级，适合高频/大功率密度系统要求，可广泛应用于新能源汽车、不间断电源(UPS)、风力发电、光伏逆变器、铁路运输、工业、智能电网等领域。株洲三期于2024年11月份启动建设，2025年5月主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。

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