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    半导体产业链高景气趋势明确 华灿光电定增乘风而上

    2020-11-19 11:07:01 来源:证券市场周刊 作者:佚名
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      原标题:半导体产业链高景气趋势明确 华灿光电定增乘风而上      国家发改委官宣“新基建”的范围,正式定调了5G基建、人工智能、工业互联网等七大领域的发展方向。以氮化镓 (GaN) 和碳化硅(SiC) 为首的第三代半导体是支持“新基建”的核心材料,LED作为氮化镓 (GaN)材料最成熟的商业化应用,电力电子器件则为氮化镓 (GaN)材料另一广阔应用领域。受益于“新基建”对下游产业的大力扶持,在“新基建”与国产替代的加持下,国内半导体厂商将迎来巨大的发展机遇。

      战略转型成果显著定增发力高端产品

      在创新驱动发展的格局下,年初以来,公司治理体系、产品结构等持续优化,战略转型成果突出,这在华灿光电三季报的业绩上也得以反映出来,今年第三季度公司业绩成功扭亏为盈,其中,实现净利润563 。75万元,同比大涨103.09%,实现营收7.43亿,同比增加3.68%,前三季度公司共实现营收18.11亿元。

      为在未来的市场竞争中占据战略制高点,持续保持行业竞争优势,公司踩准节奏理性有序扩张,拟定增募资15亿元用于Mini/Micro LED的研发与制造项目及GaN基电力电子器件的研发与制造项目。

      公开资料显示,华灿光电是最早进入Mini LED和Micro LED领域研究的厂商之一,公司的Mini LED产品具有光色一致性好、可焊性强、可靠性佳等优点,获得众多主力终端显示客户的认可,目前已经大批量出货,销量持续上升;Micro LED目前在外延和芯片技术方面取得了较好的成果,产品在波长均匀性、表面缺陷密度等方面均取得突破性进展,未来伴随巨量转移技术的解决,必将大力推进Micro LED的商业化进程。此外,华灿光电GaN基电力电子器件将主要面向智能手机、汽车电子、数据中心等市场应用。

      市场持续扩容 Mini /Micro LED蓄势待发

      据Trendforce预测,2024年全球Mini/Micro LED市场规模有望达到42亿美元,与此同时,来自政策层面的利好同样也在推动Mini/Micro LED的发展,预计到2022年,我国超高清视频产业总体规模将超过4万亿元。Micro LED被认为是未来LED显示技术发展新的风口,有可能决定未来几十年显示技术的竞争格局,此前苹果、Facebook、三星等多家国际巨头均已布局。与此同时,Micro LED市场景气度较高,年初至今Micro LED指数最高上冲至1539.09点,较年内最低点涨幅60.29%。

      华灿光电作为全球领先的LED芯片制造商,公司尤为重视高端LED产品的研发,目前已开发完成RGB Mini LED芯片、背光Mini LED芯片、超大电流密度白光LED芯片等专项,积累了一批核心技术。其中,公司开发出的Mini LED显示/背光芯片产品从光效、耐电流冲击能力到一致性和可靠性,都有大幅提升和优化,广泛应用于会议,影院,消费电子、车载显示等领域。

      公司此次定增募资的Mini/Micro LED研发与制造项目主要产品包括 Mini/Micro LED 外延片、Mini/Micro LED 芯片等,该项目符合公司布局高端LED的长期发展战略,将有助于公司继续扩大在LED芯片领域的竞争优势、巩固LED显示屏芯片市场的领先地位。Mini LED RGB显示技术作为小间距显示屏的自然延伸,P1.1以下的显示屏应用,Mini LED 为主流芯片方案,且未来随着成本下降,Mini背光将大比例替代现有的LED背光,成为大尺寸液晶背光显示方案的主流选择。Micro LED的市场渗透率也将进一步提升,公司有望尽享市场红利。

      抢滩新高地构建GaN功率器件完整产业链

      受国家政策层面利好,第三代半导体有望成为我国半导体产业的突围先锋,相关产业链上下游企业将充分受益。同时,人工智能、5G等产业的技术和应用发展持续向好,为以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体板块提供了上涨支撑,年初至今,第三代半导体指数曾冲至3154.78最高点,较年初上涨84.93%。由此可见,无论政策还是资本市场无不传达出第三代半导体行业蓬勃向上的信号,多家券商也给予第三代半导体行业“推荐”评级。

      第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能等优点,是我国“新基建”建设至关重要的技术支撑。据Omdia预测,全球SiC和GaN功率半导体销售收入将由2018年的5.71亿美元增至2020年底的8.54亿美元,至2029年底或超50亿美元,未来十年将保持年均两位数增速。其中,GaN的物理性质与SiC类似,能隙、饱和电子速度、临界击穿电场均高于SiC,被产业和市场广泛关注,且以GaN为核心的射频半导体支撑着5G基站及工业互联网系统的建设。

      华灿光电紧跟行业发展趋势,此次定增发力的GaN基电力电子器件的研发与制造项目将建立GaN功率器件从设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链,将产品开发、制造与市场需求紧密结合,通过更快的产品迭代和稳定的良品率,以具有相当市场竞争力的性价比,快速推进GaN功率器件的大规模产业化。

      此次定增完成后,华灿光电在LED芯片行业的龙头地位将得以巩固,同时公司将建立在GaN功率器件领域的国内领先地位,实现公司向高端综合半导体制造商的战略升级,全面提升公司的核心竞争力和可持续发展能力。

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